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?200mm 兼容曝光機 MA-4301M 日本進*口

作者:心靜來源:半導體網(wǎng)址:http://www.zjjkfund.cn

新設備:?200mm 兼容曝光機 MA-4301M;制造商:日本制造商

簡介:

主要特長:利用本公司**的高速圖像處理技術, 實現(xiàn)了Wafer與掩膜的高精度對位。裝載機側和卸載機側最多可設置兩個籃具(選購項)。備有冷卻機構,可進行基板臺與掩膜的溫度管理(選購項)。搭載本公司**的鏡面光學系統(tǒng)爆光燈房(LAMP HOUSE)。


從而實現(xiàn)了照射面內(nèi)的均勻性以及高照度。搭載非接觸預對位系統(tǒng)(PREALIGNER)。從而實現(xiàn)了高精度進給且保證基板不受任何損傷。搭載有自動掩膜更換機。并可支持掩膜存放庫。

主要規(guī)格:

1、Wafer材料:Si,Glass

2、Wafer尺寸:Φ6″ × t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm、Φ8″ × t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm

3、節(jié)拍時間:Proximity exposure:19 s/wafer、(One parallelism compensation per lot)

4、間隙:1 to 200 μm Servo motor、Setup resolution:1 μm

5、對位精度:自動對位:+/- 1 μm(Peak search)

6、尺寸?重量:本體尺寸:W 1800 × D 1650 × H 2015 mm

7、總重量(including lamp house):1400 kg

8、曝光方式:Soft contact exposure、Hard

contact exposure、Proximity exposure

兼容曝光機.png


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