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GAN基Micro-LED有待解決的關(guān)鍵問題
1、Micro-LED發(fā)光像元“尺寸效應(yīng)”與“邊緣效應(yīng)
2、實(shí)現(xiàn)全彩色顯示
3、巨量轉(zhuǎn)移
4、大尺寸高均勻性GaN發(fā)光芯片外延生長(zhǎng)5、應(yīng)用于Micro-LED的電流驅(qū)動(dòng)型有源尋址超高分辨率Micro-LED陣列器件設(shè)計(jì)與加工
7、氮化同質(zhì)集成技術(shù)
8、激光剝離襯底與壞點(diǎn)修復(fù)技術(shù)
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