電子束光刻系統(tǒng) CABL-AP（50kV）series-進口設(shè)備

新設(shè)備：電子束光刻系統(tǒng) CABL-AP（50kV）series；制造商：日本制造商

簡介：它也是適用于各種應(yīng)用的學術(shù)和研發(fā)模型，并且是適合用于通信用半導(dǎo)體激光器的DFB-LD生產(chǎn)的生產(chǎn)模型。我們實現(xiàn)了50kV的高分辨率和高吞吐量。光束直徑: <nmΦ (for Academic and R&D)< 3 nmΦ (for Production)相關(guān)電壓: 50kV, 30kV、作業(yè)平臺尺寸: 4寸，6寸，8寸晶圓型號。

特色： TFE 50kV、高分辨率與100kV相同、通過專門設(shè)計的激光干涉儀長時間進行高精度針跡寫作、多用戶環(huán)境（PC控制EOC = 配方）、自我控制 - 隔絕噪音及熱影響靈活的書寫方法（向量，向量R-θ，光柵，斑點，軸對稱，場尺寸調(diào)制，多重模式，3D結(jié)構(gòu)。

產(chǎn)品規(guī)格：

1、Electron Emitter/Acceleration voltage：TFE(ZrO/W)/5～50kV

2、Min. beam diameter 2.0nm (for Academic and R&D)：3.0nm (for Production)

3、Scan method：Vector scan (x，y) (Standard)、Vector scan (r，θ), Raster scan，Spot scan (Optional)

4、Advanced lithography functions (Optional)：Field size modulation lithography，axial symmetry pattern lithography

5、Field size：30μm□ - 1000μm□ (50kV) (for Academic and R&D)、30μm□ - 1500μm□ (50kV) (for Production)

6、Work piece size：4，6，8inchΦ

7、CAD software：Dedicated CAD (Standard), GDSⅡconversion (Optiional), DXF conversion (Optional)

8、OS：Windows

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